产品名称

中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼

英文名称：Single Layer MoS2 on SiO2/Si

性质

形态：薄膜

参数

基底：二氧化硅/硅

基底尺寸：8 mm*6 mm

氧化层：300nm

片径范围：20-50 μm

厚度：0.6～0.8 nm

应用

先丰纳米最新推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。

先丰寄语

CVD法制备单层二硫化钼就是在相应的基底上生长，基底上布了很多个这样的三角形单晶晶体。如果想要转移到其他目标基底上，可以参考先丰纳米提供的“类石墨烯材料PS转移方法”。该产品随货会有当批次的光学照片。

单层二硫化钼为直接带隙半导体材料，具有光致发光的特性，是制备光电器件的优选产品。近年来, MoS2的边缘结构被证明具有很强的催化活性, 可以成为理想的电催化剂, 但MoS2表面的催化活性较低, 这限制了其在HER反应中的实际应用. 为了提高MoS2表面的催化活性, 可以通过例如相工程, 引入活性不饱和缺陷, 引入应变等技术对MoS2的基底面进行修饰, 使得MoS2惰性基面拥有很高的催化活性。

其他信息

详情请发邮件至：sale@xfnano.com