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机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼
货号：101032 编号：XFG14
CAS号：1317-33-5 规格：基底尺寸：10 mmx10 mm
包装：1 盒 保质期：180天
保存条件：常温干燥避光
暂无技术资料
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产品名称
中文名称: 机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼
英文名称：Mechanical exfoliation MoS2 on SiO2/Si
性质
形态：薄膜
参数
基底：二氧化硅/硅
氧化层：300nm
基底尺寸：10 mmx10 mm
单个MOS2面积:≥10 µm2
备注:大于等于1片样品是单层
应用
先丰纳米最新推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
其他信息
详情请发邮件至：sale@xfnano.com
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