

机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼
货号:101032 编号:XFG14
CAS号:1317-33-5 规格:基底尺寸:10 mmx10 mm
包装:1 盒 保质期:180天
保存条件:常温干燥避光

产品名称
中文名称: 机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼
英文名称:Mechanical exfoliation MoS2 on SiO2/Si
性质
形态:薄膜
参数
基底:二氧化硅/硅
氧化层:300nm
基底尺寸:10 mmx10 mm
单个MOS2面积:≥10 µm2
备注:大于等于1片样品是单层
应用
先丰纳米最新推出机械剥离制备的二硫化钼,相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料,该类材料具有缺陷少,优异的光学性质,可以研究层数和荧光效应,此外,由于保持了原有晶格结构,所以该类材料是制备器件的理想材料。
其他信息
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