产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene六方氮化硼晶体

英文名称：HQ graphene Hexagonal Boron Nitride crystals

产品概述

六方氮化硼是一种带隙约为 6 电子伏特的绝缘体，已被广泛用作由各种类型的二维半导体（如二硒化钨、二硒化钼等）组成的超高迁移率二维异质结构的制备。氮化硼层间通过范德华力相互堆叠，并且可以剥离成薄的二维层，得到单层六方氮化硼。 HQ Graphene 的六方氮化硼晶体典型的横向尺寸约为 0.1 厘米，且是透明的。单晶六方氮化硼是一种良好的绝缘体，其表现为非常大的击穿电压（>0.4 伏/纳米）。大面积尺寸的六方氮化硼单晶可以剥离到基底（例如二氧化硅、石英、聚合物等）上。对于厚度为几十纳米的晶体，尺寸可达约 100 微米。

Hexagonal boron nitride is an insulator with a band gap of ~6 eV and has been used extensively as an insulator for the production of ultrahigh mobility 2D heterostructures composed of various types of 2D semiconductors (e.g. WSe2, MoSe2, etc). The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers, down to monolayer h-BN.
The h-BN crystals from HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.1 cm and are transparent. The monocrystalline h-BN is an excellent insulator which is represented by its very large breakdown voltage (>0.4 V/nm). Large area size h-BN single crystals can be can be exfoliated onto a substrate (eg. SiO2, quartz, polymer, etc). Sizes range up to ~100 μm for crystals with a thickness of a few tens on nm thick.

技术参数

Electrical properties：Insulator

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic  

产品特点

优异的热稳定性：能够在高温环境下保持结构稳定。

良好的化学惰性：在大多数化学环境中性质稳定。

高导热性：是良好的热传导材料。

电绝缘性：具有出色的电绝缘性能。

应用领域

绝缘和散热材料：由于其良好的电绝缘性和高导热性，BN可用于电子器件中作为绝缘散热层。

深紫外光电器件：氮化硼具有宽禁带特性，适合用于深紫外光电器件。

电子封装材料：BN可以添加到聚合物基体中，制备高性能的电子封装材料。它能够提高材料的机械强度、绝缘性能和热稳定性，同时不会对电子元件的正常工作产生干扰。

其他信息
如您想了解更多产品详情，可拨打电话400-025-3200，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接：http://www.hqgraphene.com/h-BN.php