文章内容概述：

本文通过在ZnO纳米线上液相生长CsPbBr3晶体微米片来一维1D-3D ZnO / CsPbBr3 p-n结，这种微米片具有p-n二极管的优异性能，并可用作高性能的整流器和光电探测器。作为整流器，它表现出双极转移的特性，其整流比高达106。作为光电探测器，它覆盖从紫外线到可见光的光。在254 nm的光照下可获得高的光电开关比（107），响应度（3.5×103A / W），检测率（6.59×1014 Jones）和外部量子效率（1.7×106％）。同时，在473 nm激光照射下，开关比和响应度分别为103和41.5 A / W。事实证明，ZnO / CsPbBr3异质结中光生载流子的衰变长度比原始CsPbBr3晶体中的衰变长度更长，异质结中载流子的衰变长度可以通过使用可调外部电场调节CsPbBr3和ZnO之间的势垒来进一步控制。

创新点：

首次提出通过在氧化锌纳米线上直接液相生长微米级钙钛矿单晶来构建ZnO@CsPbBr3 p-n结的策略。在预加载的ZnO纳米线的表面上诱导了CsPbBr3的定点生长，该纳米线充当优先成核中心以形成1D-3D pn异质结。

产品使用感受：

本次我选用的先丰纳米的材料是ZnO纳米线（产品编号XFJ53），直径为50到120nm，长度大约在几微米到十几微米，材料表现出良好的n型半导体性能，场效应晶体管的开关比约为105，可作为一种优异的n型材料与其他材料形成pn结。并且在性能表征期间我不确定晶体结构，通过咨询客服人员得到了及时满意的答复。

课题组方向：
学校：中国科学院国家纳米科学中心 导师：孙连峰
课题组的研究方向主要是低维半导体材料异质结的设计制备以及电学/光电性能的研究

使用先丰产品发表的文章
Mixed-dimensional CsPbBr3@ZnO heterostructures for high-performance p-n diodes and photodetectors，Nano Today 36 (2020) 101055