产品名称

中文名称：氧化硅基底单晶单层石墨烯

英文名称：Monolayer Graphene on SiO2/Si

产品概述

单晶石墨烯是指具有单晶体结构特征的石墨烯材料。石墨烯本身是由单层碳原子构成的二维材料，而单晶体的石墨烯则强调其原子排列的高度有序性，无缺陷，这种结构赋予了它更加优异的物理性质。单晶石墨烯的制备技术多种多样，主要包括以下几种方法： 气相沉积法（CVD）、机械剥离法、外延生长法。    

本产品采用机械剥离的方法制备，机械剥离法，又称“胶带剥离法”，最早由Novoselov等人在2004年制备单层石墨烯时提出。该方法利用胶带和块体材料之间的摩擦和相对运动，使薄层从块体上脱落，用胶带的粘着力来克服分子层间弱范德华力，从而实现层与层的分离。这种方法产量较低，但能够获取高纯度的单层石墨烯。通过机械力将石墨烯从石墨中剥离出来，适用于实验室研究。

技术参数

基底：SiO2/Si

直径：约1cm x 1cm

SiO2厚度：90 nm

Si厚度：500 μm

样品总面积：>10000 μm2

产品特点

高导电性：由于无晶界和缺陷，电子在单晶石墨烯中的传输更为顺畅，导电性能显著提高。 

高导热性：同样得益于其完美的结构，单晶石墨烯具有优异的导热性能。 

高品质光学特性：能够实现低失真的光学传输，为光学器件的制备提供了可能。 

应用

电子学：由于其高导电性和高品质的光学特性，单晶石墨烯在电子器件的制备中具有重要价值。例如，可用于制造高速电子器件、光电探测器等。 

能源：在储能领域，单晶石墨烯可用于提高电池的能量密度和循环稳定性。此外，其优异的导热性能也有助于电池的热管理。 

信息技术：在信息技术领域，单晶石墨烯可用于制备高性能的传感器、晶体管等元器件。 

其他信息

如您想了解更多产品详情，可拨打电话025-68256996，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询