产品名称

中文名称：CVD镍基多层石墨烯膜

英文名称：CVD Multilayer graphene film on Nickel substrate 

产品概述

CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和合金（如 Co-Ni，Au-Ni，Ni-Mo，不锈钢）。不同的基底材料通过 CVD 制备石墨烯的机理各不相同，主要分为两种制备机理：渗碳析碳机制，即高温时裂解后的碳渗入基底中，快速降温时在表面形成石墨烯；表面催化机制，即高温时裂解后的碳接触特定金属时（如铜），在表面形成石墨烯，并保护样品抑制薄膜继续沉积，因此这种机制更容易形成单层石墨烯。镍基石墨烯膜转移到其他基底的方法参照铜基石墨烯的转移操作。

技术参数

层数：多层

尺寸：1英寸*1英寸，1英寸*2英寸，2英寸*2英寸

产品特点

1）高品质：具有较高的纯度和结晶度；

2）良好的电学性能：载流子迁移率高，电阻率小；

3）高透明度：对可见光具有良好的透过性；

4）机械强度高：具有较好的柔韧性和耐受力；

5）化学稳定性好：在常温下表现出良好的稳定性。

应用

1)    电子器件：如场效应晶体管、电容器等；

2)    光学器件：透明导电薄膜、触摸屏等；

3)    传感器：化学传感器、生物传感器等；

4)    能源领域：如太阳能电池、超级电容器等；

5)    复合材料：与其他材料复合，提升性能。

其他信息

如您想了解更多产品详情，可拨打电话400-025-3200，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询