产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene硫化钽晶体

英文名称：HQ graphene 2H-TaS2(Tantalum Sulfide)

产品概述

2H-TaS2是一种低于~75 ~ 80k的金属和不相称电荷密度波（CDW）体系，是一种Tc ~1K的超导体。请注意，TaS2也存在于1T相TaS2中，TaS2是半导体和电荷密度波（CDW）系统，低于~180K（有关1T-TaS2的更多信息请点击这里）。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。TaS2属于v族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的2H TaS2晶体具有典型的横向尺寸为~0.6-0.8 cm，六角形和金属外观。

2H-TaS2 is a metal and an incommensurate Charge density waves (CDW) system below ~75-80K and a superconductor with Tc ~1K. Note that TaS2 also exist in the 1T phase TaS2 which is a semiconductor and a Charge density waves (CDW) system below ~180K. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. TaS2 belongs to the group-V transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H TaS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm, hexagonal shaped and have a metallic appearance. 

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~6-8 mm

颜色: 黄黑色

产品特点

Electrical properties：Metal

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.331 nm, c = 1.207 nm, α = β = 90, γ = 120°

Type：Synthetic

应用领域

在电子学领域：

场效应晶体管（FET）：由于其特殊的电学性质，可用于制造高性能的场效应晶体管。例如，在高频和高功率电子设备中，基于硫化钽晶体的 FET 能够提供更优异的性能。

存储器件：有望应用于新型的存储器件，如相变存储器或阻变存储器，实现高速、高密度的数据存储。

在能源领域：

锂离子电池：作为锂离子电池的电极材料，具有一定的潜力来提高电池的容量和循环性能。

在催化领域：

电催化：在一些电催化反应中，如析氢反应（HER），表现出一定的催化活性，有助于提高能源转化效率。

在传感器领域：

压力传感器：其电阻会随压力变化而改变，可用于制造高精度的压力传感器。

其他信息
如您想了解更多产品详情，可拨打电话400-025-3200，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接：http://www.hqgraphene.com/TaS2.php