产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene 碲化钼晶体

英文名称：HQ graphene MoTe2 (Molybdenum Ditelluride)

产品概述

2H MoTe2 （α相MoTe2）是一种半导体和抗磁性体系，间接带隙为~1.2 eV。单晶2H-MoTe2具有直接带隙，带隙与层数成反比。它是一种直接带隙材料，仅适用于单层或双层。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。MoTe2属于第六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的α-MoTe2晶体具有典型的横向尺寸为~0.6-0.8 cm，呈六边形，具有金属外观。2H MoTe2是一种n型半导体，在室温下典型载流子密度为~1017cm-3。

2H MoTe2 (alpha phase MoTe2) is a semiconductor and a diamagnetic system with an indirect band gap of ~1.2 eV. Monolay 2H-MoTe2 have a direct band gap which is inversely proportional to the number of layers. It is a direct band gap material only for single layer or bilayer. Note that Molybdenum Ditelluride also exist in the 1T' MoTe2 phase which is a semi-metal (for more information on 1T' MoTe2 click here ). The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. MoTe2 belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The α-MoTe2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance. The 2H MoTe2 is a n-type semiconductor, having a typical charge carrier density of ~10¹⁷cm^-3 at room temperature.                                

1T'-MoTe2是一种顺磁性的Weyl半金属。β相MoTe2中的层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。β-MoTe2属于第六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的1T′相MoTe2晶体具有典型的横向尺寸为~0.6-0.8 cm，矩形和金属外观。

1T'-MoTe2 is a Weyl semimetal and is paramagnetic. The layers in the beta phase MoTe2 are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. β-MoTe2 belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). Note that MoTe2 also exist in the 2H-MoTe2 phase which is a semiconductor (for more information on 2H MoTe2 click here ). 
The 1T' phase MoTe2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm, rectangular shaped and have a metallic appearance. 

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:6-10 mm

颜色: 黑色

产品特点

2H MoTe2 :

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120°

Type：Synthetic

应用领域

在电子学领域：

场效应晶体管（FET）：由于其独特的电学性质，可用于制造高性能的场效应晶体管。例如，在下一代微型化和低功耗的电子设备中，基于碲化钼晶体的 FET 可实现更小的尺寸和更低的能耗。

集成电路：有可能成为未来集成电路中的关键组件，提高芯片的性能和集成度。

在能源领域：

太阳能电池：可用作太阳能电池的吸光层材料，增强对太阳光的吸收和转换效率。比如在高效薄膜太阳能电池中，碲化钼晶体有助于提高电池的整体性能。

电池电极材料：作为锂离子电池或钠离子电池的电极材料，表现出良好的电化学性能和循环稳定性。

在传感器领域：

光电传感器：对光具有敏感性，可用于制造高性能的光电传感器。例如，在光通信和环境监测等领域，能够准确检测光信号的变化。

气体传感器：对某些特定气体具有响应，可用于检测气体的浓度和成分。

在存储领域：

相变存储器：利用其相变特性，有望应用于新型相变存储器，实现快速的数据存储和读取。

其他信息
如您想了解更多产品详情，可拨打电话400-025-3200，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接：http://www.hqgraphene.com/MoTe2.php

                 https://www.hqgraphene.com/1T-MoTe2.php