产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene硒化铪晶体

英文名称：HQ grapheneHfSe2 Crystal

产品概述

HfSe2 是一种间接带隙为 ~1.1 eV 的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以剥离成薄的 2D 层。二硒化铪属于 IV 族过渡金属硫族化合物 （TMDC）。HQ Graphene 生产的 HfSe2 晶体的横向尺寸为 ~0.6-0.8 cm，呈六边形，具有金属外观。

HfSe2 is a semiconductor with an indirect bandgap of ~1.1 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Hafnium Diselenide belongs to the group-IV transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The HfSe2 crystals produced at HQ Graphene have a lateral size of ~0.6-0.8 cm, are hexagonal shaped, and have a metallic appearance. 

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~8mm

颜色: 灰黑色

产品特点

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.3745 nm, c = 0.6160 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

应用领域

硒化铪晶体因其高非线性系数和优异的光学性能，在非线性光学领域有重要应用。它能够用于产生和检测太赫兹波段的电磁波，这在现代通信、成像和传感器技术中非常有用。

在中远红外激光器中，硒化铪晶体可以作为频率下转换器使用，将低频激光转换为高频激光。这种特性使其在中红外至远红外光源的生成中具有重要作用。

硒化铪晶体还可以应用于光电探测器领域，特别是在中红外波段的高灵敏度探测。其高抗损伤阈值和低吸收系数使其成为理想的探测材料。

硒化铪晶体在太赫兹振荡和探测方面也有广泛应用。例如，它可以通过光整流效应产生太赫兹脉冲，并且在太赫兹时域系统中表现出色

其他信息
如您想了解更多产品详情，可拨打电话400-025-3200，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接：http://www.hqgraphene.com/HfSe2.php