CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼连续薄膜
货号:101176 编号:XF176
CAS号:1317-33-5 规格:尺寸:约8X8 mm, 基底:氧化硅/硅,单抛光
包装:1 盒 保质期:60天
保存条件:常温干燥密封避光
产品名称
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼连续薄膜
英文名称:monolayer continuous film of MoS2 on SiO2/Si CVD
性质
形态:薄膜
MoS2薄膜尺寸:约8 mm*8 mm
厚度:0.6~0.8 nm
基底:SiO2/Si
氧化层:300nm
应用
先丰纳米最新推出CVD法制备的单层二硫化钼连续薄膜,相比较锂插层制备的单层二硫化钼,该产品具有缺陷少,层数可控,优异的光学性质,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料,欢迎咨询。
先丰寄语
CVD单层二硫化钼连续薄膜是三角形单晶连起来的多晶薄膜,不是非晶薄膜,晶体连起来的薄膜光谱等性能比非晶薄膜要好很多。该产品随货会有当批次的光学照片。
单层二硫化钼为直接带隙半导体材料,具有光致发光的特性,是制备光电器件的优选产品。近年来, MoS2的边缘结构被证明具有很强的催化活性, 可以成为理想的电催化剂, 但MoS2表面的催化活性较低, 这限制了其在HER反应中的实际应用. 为了提高MoS2表面的催化活性, 可以通过例如相工程, 引入活性不饱和缺陷, 引入应变等技术对MoS2的基底面进行修饰, 使得MoS2惰性基面拥有很高的催化活性。
其他信息
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