CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨
货号:101041 编号:XF172
CAS号:7440-33-7 规格:尺寸: 9 mmx9 mm
包装:1 盒 保质期:30天
保存条件:常温干燥避光
产品名称
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨
英文名称:Single Layer WSe2 on SiO2/Si
性质
形态:薄膜
基底尺寸:9 mmx9 mm
WSe2片径范围:20-50 μm
氧化层:300nm
厚度:0.6-0.8 nm
应用
先丰纳米最新推出CVD法制备的单层二硒化钨,该产品具有缺陷少,层数可控,优异的光学性质,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料,欢迎咨询。
先丰寄语
二硒化钨是过渡金属硫族化合物中典型的层状结构半导体。二硒化钨的单分子层,是由中间层钨原子及其上、下硒原子的共价键合成的,该强共价键使二硒化钨具有良好的机械强度,在惰性环境中具有良好的热稳定性和自由表面悬挂键。适用于场效应晶体管的沟道材料、在光电探测器、交换器、有机发光二极管等领域也有巨大潜力。
其他信息
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