产品名称

中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钨

英文名称：Single Layer WS2 on SiO2/Si

性质

形态：薄膜

基底：二氧化硅/硅

氧化层：300nm

基底尺寸：9 mmx9 mm

WS2片径大小：20-50 µm

厚度：0.6～0.8 nm

应用

该类材料缺陷少，光学性质优良，层数可控，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料。

先丰寄语

CVD法制备单层二硫化钨就是在相应的基底上生长，基底上布了很多个这样的三角形单晶晶体。如果想要转移到其他目标基底上，可以参考先丰纳米提供的“类石墨烯材料PS转移方法”。该产品随货会有当批次的光学照片。

二硫化钨根据不同的堆垛方式形成三种不同的层状结构，分别为1T、2H和3R结构。其中最稳定的结构是2H-WS2六方晶系。作为一种典型的过渡金属硫化物（TMDs）材料，单层二硫化钨具有优异的电学和光学性能，在光电器件、纳机电系统等诸多领域具有广泛的应用前景。主要可以用于于储氢、催化、晶体管、润滑、锂电池、太阳能电池吸附层等领域。

其他信息

订购请发邮件至：sale@xfnano.com