
Purity:>99.995%
商品详情
纯进口HQ graphene 硒化铂晶体
货号:102751 编号:XF256
CAS号:12038-26-5 规格:纯度: >99.995%
包装:1块 保质期:180天
保存条件:常温干燥避光密封
产品名称
中文名称: 纯进口HQ graphene 硒化铂晶体
英文名称:HQ graphene PtSe2 Crystal
产品概述
PtSe2是一种半金属。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。铂二硒化半金属属于x族过渡金属二硫族(TMDC)。PtSe2晶体具有典型的横向尺寸约0.2-0.3 cm,并具有金属外观
PtSe2 is a semimetal. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. The Platinum Diselenide semi-metal belongs to the group-X transition metal dichalcogenides (TMDC).
The PtSe2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.2-0.3 cm, and have a metallic appearance.
技术参数
纯度: >99.995 %
尺寸:~2-3 mm
包装:1片
产品特点
Electrical properties:Semimetal
Crystal structure:Hexagonal
Unit cell parameters:a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120°
Type:Synthetic
Purity:>99.995%
应用领域
1. 光电探测器
硒化铂晶体具有可调带隙和高载流子迁移率等特点,这使得它在光电探测器领域具有显著优势。通过调节其带隙,硒化铂晶体可以实现从可见光波段到中红外波段的光电探测,从而拓宽了探测器的测量范围。高载流子迁移率则使得光生电子-空穴对能够迅速复合,提高了器件的响应速度。因此,硒化铂晶体是制备高效光电探测器的理想材料之一。
2. 场效应晶体管
硒化铂晶体的二维层状结构为其在场效应晶体管(FET)中的应用提供了可能。作为FET的沟道材料,硒化铂晶体能够展现出优异的电子输运特性,包括高迁移率和低开关电压等。这些特性使得硒化铂晶体FET在高速电子器件领域具有潜在的应用价值。
3. 能源转换器件
硒化铂晶体在能源转换器件方面也具有应用潜力。例如,在太阳能电池中,硒化铂晶体可以作为光吸收层或电荷传输层,提高太阳能电池的光电转换效率。此外,硒化铂晶体还可能在其他类型的能源转换器件中发挥作用,如热电转换器件和燃料电池等。
4. 催化领域
硒化铂晶体在催化领域也展现出一定的应用前景。由于其独特的电子结构和化学性质,硒化铂晶体在某些催化反应中可能表现出优异的催化性能。例如,在电催化析氢反应中,硒化铂晶体可以作为有效的催化剂,降低反应的活化能并提高反应速率。
其他信息
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原链接:http://www.hqgraphene.com/PtSe2.php
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