纯进口HQ graphene 硒化铂晶体

货号:102751 编号:XF256

CAS号:12038-26-5 规格:纯度: >99.995%

包装:1块 保质期:180天

保存条件:常温干燥避光密封

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产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene 硒化铂晶体

英文名称:HQ graphene PtSe2 Crystal


产品概述

PtSe2是一种半金属。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。铂二硒化半金属属于x族过渡金属二硫族(TMDC)。PtSe2晶体具有典型的横向尺寸约0.2-0.3 cm,并具有金属外观

PtSe2 is a semimetal. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. The Platinum Diselenide semi-metal belongs to the group-X transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The PtSe2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.2-0.3 cm, and have a metallic appearance. 


技术参数

纯度: >99.995 %

尺寸:~2-3 mm

包装:1片


产品特点

Electrical properties:Semimetal

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type:Synthetic

Purity:>99.995%


应用领域

1. 光电探测器

硒化铂晶体具有可调带隙和高载流子迁移率等特点,这使得它在光电探测器领域具有显著优势。通过调节其带隙,硒化铂晶体可以实现从可见光波段到中红外波段的光电探测,从而拓宽了探测器的测量范围。高载流子迁移率则使得光生电子-空穴对能够迅速复合,提高了器件的响应速度。因此,硒化铂晶体是制备高效光电探测器的理想材料之一。

2. 场效应晶体管

硒化铂晶体的二维层状结构为其在场效应晶体管(FET)中的应用提供了可能。作为FET的沟道材料,硒化铂晶体能够展现出优异的电子输运特性,包括高迁移率和低开关电压等。这些特性使得硒化铂晶体FET在高速电子器件领域具有潜在的应用价值。

3. 能源转换器件

硒化铂晶体在能源转换器件方面也具有应用潜力。例如,在太阳能电池中,硒化铂晶体可以作为光吸收层或电荷传输层,提高太阳能电池的光电转换效率。此外,硒化铂晶体还可能在其他类型的能源转换器件中发挥作用,如热电转换器件和燃料电池等。

4. 催化领域

硒化铂晶体在催化领域也展现出一定的应用前景。由于其独特的电子结构和化学性质,硒化铂晶体在某些催化反应中可能表现出优异的催化性能。例如,在电催化析氢反应中,硒化铂晶体可以作为有效的催化剂,降低反应的活化能并提高反应速率。


其他信息
如您想了解更多产品详情,可拨打电话400-025-3200,您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接:http://www.hqgraphene.com/PtSe2.php



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