产品名称

中文名称：2D CVD蓝宝石基底少层二硫化锡SnS2连续薄膜

英文名称：SnS2 - Full Area Few-layer on c-cut Sapphire

产品概述

CVD法（化学气相沉积法）在制备二硫化物材料方面发挥着重要作用，特别是针对二维层状金属二硫化物（如二硫化钼MoS2、二硫化钨WS2等）的制备。在制备二硫化物材料时，CVD法利用气态前驱体（如金属源和硫源）在加热的基片表面发生化学反应，生成所需的二硫化物薄膜。根据目标二硫化物的种类，常见的金属源包括金属粉末、金属卤化物等，硫源则包括硫粉、硫化氢等。 二维层状金属SnS2因其优异的光电特性、可调节带隙和优异的空气稳定性等性能而备受关注。CVD法作为制备这类材料的有效手段之一，在光电子器件、传感器、能量存储等领域具有广泛的应用前景。

技术参数

尺寸：1cm x 1cm

基底类型：（0001）c-cut Sapphire

晶体结构：Hexagonal

制备方法：LPCVD

其他信息

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原链接：https://2dsemiconductors.com/sns2-full-area-few-layer-on-c-cut-sapphire/?searchid=0&search_query=SnS2