纯进口HQ graphene二硫化钼晶体

货号:103200 编号:XF270

CAS号:1317-33-5 规格:纯度:99.995%,n-type

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产品名称

中文名称:纯进口HQ graphene二硫化钼晶体

英文名称:HQ graphene MoS2 (2H Molybdenum Disulfide)


产品概述

二硫化钼(2H相)是一种间接带隙为1.2 eV的半导体。单层二硫化钼的带隙约为1.8 eV。例如,二硫化钼被用作光电探测器和晶体管。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。二硫化钼属于第六族过渡金属二硫族化合物(TMDC)。

在HQ石墨烯中制备的2H相MoS2晶体具有典型的横向尺寸为~0.8-1 cm,六角形/矩形,具有金属外观。

MoS2 (2H phase) is a semiconductor with an indirect band gap of 1.2 eV. Monolayer MoS2 has a band gap of ~1.8 eV. Molybdenum Disulfide is used for example as a photodetector and transistor. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. MoS2 belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H phase MoS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, hexagonal/rectangular shaped and have a metallic appearance. We produce both n-type and p-type MoS2, having a typical charge carrier density of ~1015cm-3 at room temperature. 


技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~10 mm

颜色: 黑色


产品特点

Electrical properties:Semiconductor

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type:Synthetic




Purity:>99.995%





应用领域

固体润滑:由于2H-MoS2的层状结构,层与层之间靠较弱的范德华力相连接,极易发生滑移,从而具有较低的摩擦系数。

电池和超级电容器:2H-MoS2因其较高的理论比容量和独特的层状结构,成为锂或钠离子电池负极材料的候选者。理论上它也是超级电容器和析氢反应(HER)的良好候选材料。电催化和光催化:2H-MoS2具有优异的催化活性,可用于电催化、光催化和热催化等反应。

生物医学成像和药物输送:二维纳米MoS2颗粒与生物聚合物结合后,可以获得复杂的杀菌活性,适用于抗菌应用。


其他信息
如您想了解更多产品详情,可拨打电话400-025-3200,您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接:http://www.hqgraphene.com/MoS2.php







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