可选
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详细参数:4英寸 ,单面抛光, 厚度525um+/-25um, 晶向100, 电阻率可以做到=0.02, SiO2厚度为50nm的Si/SiO2衬底,SiO2用热氧法生长,厚度均匀性较好,Si/SiO2界面特性较好;N型。
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