产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene硫化钽晶体 1T

英文名称：HQ graphene 1T-TaS2 (Tantalum Sulfide)

产品概述

常温下1T-TaS2在高温（>550K）下表现为金属相，在550K以下表现为不相称的CDW （ICCDW）相，在350 K以下表现为接近相称的CDW （NCCDW）相，在~180 K以下表现为含莫特相的相称CDW （CCDW）相。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。ttas2属于v族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。用HQ石墨烯制备的1T相TaS2晶体具有典型的横向尺寸为~0.6-0.8 cm，呈六边形，具有金属外观。

1T-TaS2 at ambient pressure shows a metallic phase at high temperatures (>550K), an incommensurate CDW (ICCDW) phase below 550 K, a nearly commensurate CDW (NCCDW) phase below 350 K and a commensurate CDW (CCDW) phase including a Mott phase below ~180 K. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. 1T TaS2 belongs to the group-V transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 1T phase TaS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance.

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~6-8 mm

产品特点

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Type：Synthetic

Unit cell parameters:a = b = 0.336 nm, c = 0.590 nm, α = β = 90°, γ = 120°

应用领域

在电子学领域：

场效应晶体管（FET）：由于其特殊的电学性质，可用于制造高性能的场效应晶体管。例如，在高频和高功率电子设备中，基于硫化钽晶体的 FET 能够提供更优异的性能。

存储器件：有望应用于新型的存储器件，如相变存储器或阻变存储器，实现高速、高密度的数据存储。

在能源领域：

锂离子电池：作为锂离子电池的电极材料，具有一定的潜力来提高电池的容量和循环性能。

在催化领域：

电催化：在一些电催化反应中，如析氢反应（HER），表现出一定的催化活性，有助于提高能源转化效率。

在传感器领域：

压力传感器：其电阻会随压力变化而改变，可用于制造高精度的压力传感器。

其他信息
如您想了解更多产品详情，可拨打电话400-025-3200，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接：http://www.hqgraphene.com/1T-TaS2.php