产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene 硫化铪晶体

英文名称：HQ graphene HfS2 (Hafnium Disulfide) Crystal 

产品概述

HfS2是一种间接带隙为~ 2ev的半导体。预测单层二硫化铪的直接带隙为~1.2 eV。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。HfS2属于iv族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的二硫化铪晶体横向尺寸为~0.6-0.8 cm，呈六角形，外观呈红色透明。

HfS2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~2 eV. Single layer Hafnium Disulfide is predicted to have a direct band gap of ~1.2 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. HfS2 belongs to the group-IV transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The Hafnium Disulfide crystals produced at HQ Graphene have a lateral size of ~0.6-0.8 cm, are hexagonal shaped and have a red transparent appearance. 

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:6-8mm

产品特点

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

应用领域

硫化铪晶体因其特殊的结构和电学性能，成为传感器领域的有力候选材料。它可以用于制造气体传感器、压力传感器和湿度传感器等。这些传感器利用了二硫化铪晶体的高灵敏度和快速响应特性，在环境监测和工业自动化中有着重要应用。

在生物医学领域，二硫化铪纳米片被探索用于治疗炎症性肠病。例如，单宁酸封端的二硫化铪纳米片（HfS2@TA）通过液相剥离法制备，显示出清除活性氧（ROS）和靶向结肠的能力，这为肿瘤和其他疾病的治疗提供了新的思路。

硫化铪单层是未来纳米电子器件中最有前途的二维材料之一。研究人员正在开发基于HfS2的场效应晶体管（FET），这种设备具有超低功耗的特点，并且可以实现多通道架构。这些特性使得HfS2在高性能计算和数据存储方面具有潜在的应用前景。

由于其直接带隙半导体性质，单层二硫化铪晶体在光电和光电子学中也有广泛应用。例如，它可以用作激光器和光电探测器的核心材料，因其优异的光学特性和储能性能而受到重视。

硫化铪晶体还可以作为催化剂使用，特别是在高温条件下。此外，它在能源存储和转换设备中的应用也正在研究之中，如超级电容器和锂离子电池等。

其他信息
如您想了解更多产品详情，可拨打电话400-025-3200，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接：http://www.hqgraphene.com/HfS2.php